KINGSTON MEMORIA RAM DDR3 4GB SODIMM KVR16S11S8/4 CL11

Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independientes Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6 Latencia Additive programable: 0, CL – 2, or CL – 1 clock 8-bit pre-fetch Longitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial “000”), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes Diferencial de datos Strobe Bi-direccional Calibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%25) Terminación “On Die” usando pin ODT Promedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC